30 секунд

Gigaphoton расширила систему возврата неона hTGM на ArF-лазеры для глубокой ультрафиолетовой литографии. В статье Tom’s Hardware от 6 октября компания связывает новое решение с возвратом 50% газа. Такой контур должен сокращать потребность в свежем неоне, однако это заявленный показатель системы. Его нельзя напрямую переносить на экономию всей фабрики или сравнивать с другими установками без одинаковых условий.

Подробнее

Новая версия hTGM возвращает часть неона, используемого ArF-лазерным оборудованием для DUV-литографии. Tom’s Hardware в материале от 6 октября 2026 года сообщает о доле возврата 50%. Издание рассматривает это как способ сократить потребность производителей чипов в новых поставках газа.

У Gigaphoton уже была система возврата неона для KrF-лазеров; теперь компания распространила возможность на ArF-источники. Поэтому событие относится к конкретному классу оборудования, а не означает создание первого способа повторного использования неона в полупроводниковом производстве.

В статье приведены и другие системы с заявленными показателями возврата, включая разработку Kanken Techno. Однако общий процент без одинаковых условий не даёт готового сравнения установок. Область применения тоже важна: источник связывает неон с DUV-процессами и отдельно отмечает иной принцип получения света в EUV-литографии. Из заявленной доли возврата нельзя вычислить расходы всей фабрики.

Разбор NewsAndNext

Что это значит

В случае hTGM инженерное изменение находится внутри материального потока: часть уже используемого неона возвращается в оборот лазерного оборудования. Это позволяет обсуждать меньшую зависимость от новых поставок, не предполагая, что газ больше не нужен или что изменился сам способ изготовления всех чипов.

Но показатель возврата и итоговая экономия предприятия отвечают на разные вопросы. Первый характеризует работу контура; для второго нужны данные о конкретной установке и её использовании. Поэтому 50% полезнее читать как заявленное свойство системы для ArF-лазеров, а не как универсальное сокращение затрат полупроводникового производства.