TSMC планирует High-NA EUV с 2030 года, не назвав первый техпроцесс

TSMC объявила план использовать High-NA EUV в массовом производстве с 2030 года, сообщает Tom’s Hardware. Первый техпроцесс компания формально не назвала. На начальном этапе речь идёт об обычных фотошаблонах 6×6 дюймов; для более крупных шаблонов предусмотрены последующие шаги. Упоминание A10 или A11 в статье — предположение автора по дорожной карте, а не подтверждённое решение TSMC.

По данным Tom’s Hardware, TSMC обозначила 2030 год как начало применения High-NA EUV в массовом производстве. Компания не раскрыла, какой именно технологический процесс получит оборудование первым. Поэтому варианты A10 и A11, которые обсуждает автор, остаются сопоставлением с дорожной картой, а не официальным названием первого внедрения.

Начальный план использует фотошаблоны 6×6 дюймов. Для High-NA такая конфигурация имеет меньшее поле экспонирования, чем у прежних систем, что усложняет изготовление особенно крупных кристаллов. В статье названы возможные подходы: сшивка полей либо переход к нескольким чиплетам, каждый со своими издержками.

Следующий этап связан с фотошаблонами 6×12 дюймов: пилотную линию относят к 2031 году, производственное применение — к цели на 2033-й. Это последовательность будущих работ. Из неё нельзя заключить, что весь инструментальный переход уже завершён или что новые системы применяются ко всем слоям каждого техпроцесса.